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地址:上海市寶山區(qū)水產(chǎn)西路680弄4號樓508
產(chǎn)品名稱：AI-6000M高電壓介損測量儀廠家
產(chǎn)品型號：
產(chǎn)品報價：20000
產(chǎn)品特點：AI-6000M高電壓介損測量儀廠家是專門用于高電壓介損測量的新型介損測量儀。AI-6000M集高壓介損電橋和大功率變頻電源為一體，既能接試驗變壓器進行自動雙變頻抗干擾高電壓介損試驗，又能直接驅(qū)動串諧裝置進行變頻高電壓介損試驗，也可進行外接工頻、變頻高電壓介損試驗。
AI-6000M高電壓介損測量儀廠家的詳細資料：
AI-6000M高電壓介損測量儀一、主要特點1. 采用正弦波變頻電源，輸出頻率30~300Hz可調(diào)，調(diào)節(jié)細度0.1Hz。2. 可直接驅(qū)動試驗變壓器。采用*的自動雙變頻抗干擾技術(shù)，可以像普通10kV介損儀那樣自動抗干擾測量，可以抵抗2倍工頻干擾。適合測量小容量試品(<2000pF)：組件少，接線簡單，不需接電抗器和補償電容量，直接按照的頻率測量中小電容量試品。3. 數(shù)據(jù)等效性：變壓器模式采用自動雙變頻測量，就很方便對數(shù)據(jù)進行50Hz折算，使之與50Hz*等效。4. 可直接驅(qū)動諧振電源。諧振模式可自動找諧振點，大小試品都可以在45 Hz～65 Hz范圍測量。在50Hz以外的所有整數(shù)頻點，可以抵抗2倍工頻干擾。做變壓器套管 、CVT等大容量、大負載試品時，儀器直接驅(qū)動勵磁變、電抗器和補償電容，進行串諧升壓測量。儀器內(nèi)置有計算器,可以自動計算諧振頻點和z`ui大升壓值。5. tgδ-U升壓降壓關(guān)系曲線(tip-up test)：可任意設(shè)定20個試驗電壓點，儀器按照設(shè)定的電壓自動測量，z`ui后給出測量數(shù)據(jù)，包括tgδ-U升壓降壓關(guān)系曲線，通過曲線走勢及上升曲線與下降曲線的重合情況，來判斷運行設(shè)備的狀態(tài)。6. 高壓標準電容器既是介損和電容量的測量基準，也用于測量試驗電壓。儀器可以實時顯示試驗電壓，并調(diào)整試驗電壓為規(guī)定值。7. 具備基本的正、反接線測量功能；還特別具有“正反接線”雙通道模式，可以同時給出正接線、反接線和反接線對地的數(shù)據(jù)。8. 主機可顯示、存儲、打印試驗數(shù)據(jù)。可以連接PC，通過PC控制測量 、處理數(shù)據(jù)和報表曲線輸出。
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AI-6000M高電壓介損測量儀
| 二、主要技術(shù)指標 |
儀器操作 |
1. 介損電橋 準確度： Cx： ±（讀數(shù)×1%+1pF） tgδ： ±（讀數(shù)×1%+0.00040） tgδ范圍： 0~100%，電容、電感、電阻三種試品自動識別。 tgδ分辨率：0.001%， 輸入范圍： 10uA~5A 測量方式： 正接線 / 反接線 / 正反接線 抗干擾能力：變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達到上述準確度 測量時間： 每點約20s 輸入頻率： 30~600Hz
2. 變頻電源 輸入電源： 220V±10%單相、三相4線或發(fā)電機 輸入頻率： 50/60Hz 輸出電壓： 0~400V 輸出頻率： 30~300Hz單頻，49/51Hz、59/61Hz自動雙變頻 輸出容量： z`ui大16kVA / 28kVA兩種型號 試驗電流：試驗變壓器方案100mA，串聯(lián)諧振方案700mA 輸出波形： 標準正弦波
3. 其它指標 16kVA，適合220kV及以下電壓等級試驗: 體 積：39.8cm(長)* 33cm（寬）*30cm(高) 重 量：27kg/16kVA 28kVA，適合220kV以上電壓等級試驗: 體 積：45cm(長)* 39cm（寬）*43cm(高) 重 量：47kg/28kVA 環(huán)境溫度：-10 ~ 50℃ 相對濕度：≤80%
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三、正接線
正接線示意圖
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四、反接線
反接線示意圖
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五、現(xiàn)場試驗 | |
220kVCT正接線高電壓介損試驗
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110kVCT反接線高電壓介損試驗 |
500kV斷路器均壓電容高電壓介損試驗
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500kV斷路器均壓電容高電壓介損試驗
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儀器接線
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AI-6000M直接驅(qū)動串諧設(shè)備進行加壓試驗 |
六、 電壓-介損曲線舉例
220kVCT高電壓介損曲線
110kVCT反接線高電壓介損曲線
500kV CVT反接線串諧加壓高電壓介損曲線
500kV 斷路器均壓電容正接線高電壓介損曲線
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| 七、 技術(shù)方案 AI-6000M配合試驗變和串諧電源，可實現(xiàn)以下試驗方案： 電流互感器(CT)、斷路器均壓電容、CVT和變壓器套管高電壓介損試驗(110kV、220kV、500kV) 發(fā)電機定子高電壓介損試驗
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